Ion Implanter, EATON

Nimi ja malli: Ion Implanter, EATON

Yhteyshenkilö: Victor Ovchinnikov
victor.ovchinnikov(at)tkk.fi      +358 9 470 24988

Valmistusvuosi: 1992

Asennusvuosi: 2002

Laitteen yleiskuvaus:

Substrate Size:

Thickness up to 1 mm.

Allowed Materials:

Semiconductors .

Forbidden Materials:

Sticky, powder and liquid materials.

Availability and Cost:

Availability Class: (Use allowed only for operator.)
Price Category: Special

Käyttö: High-performance ion implantation system for precise doping of semiconductors. The system has load lock for cassette wafer loading. Implantation is automated.

Tärkeimmät ominaisuudet ja lisävarusteet: The implanter includes ion source, separation magnet, linear accelerator and the control system. Implantation is done in large vacuum chamber with two cryo pumps and one diffusion pump. Water cooled substrate holder.

Tärkeimmät spesifikaatiot:

Ion energy	20 - 200 keV
Beam current	Up to 500 µA
Ions	Ar+, B+, P+
Ion dose	1x10^12 - 1x10^16 cm-2
Implantation time (1x1016 cm-2)	30 min

Valokuva:

Sijainti: Micronova Nanofabrication Centre – Nanofab F10. Tietotie 3, 02150 Espoo

Kaupunki: Espoo