Electrochemical etching system for silicon

Nimi ja malli:

Yhteyshenkilö: Vesa-Pekka Lehto

Valmistusvuosi: 2008

Asennusvuosi: 2009

Laitteen yleiskuvaus: Electrochemical etching system for 10 cm silicon wafers

Käyttö: Production of porous silicon

Tärkeimmät ominaisuudet ja lisävarusteet:

Tärkeimmät spesifikaatiot: Maximum current 19 A
Silicon wafer size 10 cm

Valokuva:

Sijainti: University of Eastern Finland, Department of Physics and Mathematics, Yliopistonranta 1 F (Melania), 70211 Kuopio

Kaupunki: Kuopio